RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
60
Intorno -36% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
44
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3145
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB Confronto tra le RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link