RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
60
Intorno -76% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
34
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2826
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link