RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
60
Intorno -76% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
34
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2881
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link