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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
60
Intorno -82% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
33
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3116
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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