RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
24
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2703
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link