RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
26
Velocità di lettura, GB/s
15.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2382
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link