RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
36
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
31
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3123
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link