RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
36
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
31
Velocità di lettura, GB/s
15.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2837
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link