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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Confronto
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
37
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
37
Velocità di lettura, GB/s
15.4
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2763
2847
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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