RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Confronto
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
38
Intorno -15% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
33
Velocità di lettura, GB/s
16.5
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2829
2200
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link