RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
33
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
20
Velocità di lettura, GB/s
17.6
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3470
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link