RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
33
Intorno -32% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
25
Velocità di lettura, GB/s
17.6
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2931
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link