RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno -38% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
24
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2479
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBPQ 2GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link