RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
33
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
19
Velocità di lettura, GB/s
17.6
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3359
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link