RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
28
Velocità di lettura, GB/s
17.6
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3504
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link