RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
26
Velocità di lettura, GB/s
17.6
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3937
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link