RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno -38% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
24
Velocità di lettura, GB/s
17.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2462
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link