RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
47
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
47
Velocità di lettura, GB/s
17.6
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
1967
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link