RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno -22% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
27
Velocità di lettura, GB/s
17.6
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
5.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
1774
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link