RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
33
Intorno -32% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
25
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2489
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link