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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Confronto
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
18.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
13.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
30
Velocità di lettura, GB/s
18.5
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
13.8
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3341
3860
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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