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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston 9965662-013.A01G 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston 9965662-013.A01G 16GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 9.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 6.4
    Valore medio nei test
Kingston 9965662-013.A01G 16GB Motivi da considerare
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    40 left arrow 42
    Intorno -5% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 40
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.9 left arrow 9.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 6.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2150 left arrow 2125

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

Kingston 9965662-013.A01G 16GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Memoria RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Memoria RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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Memoria RAM
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Kingston KVR648-PSB 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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