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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Confronto
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
41
Intorno -105% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
20
Velocità di lettura, GB/s
14.1
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2240
3708
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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