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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Confronto
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
43
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
43
Velocità di lettura, GB/s
14.1
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2240
1994
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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