RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
30
Velocità di lettura, GB/s
13.2
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1338
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link