RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
42
Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
42
Velocità di lettura, GB/s
13.2
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2735
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link