RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
72
Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
72
Velocità di lettura, GB/s
13.3
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
1728
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link