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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
41
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
34
Velocità di lettura, GB/s
13.3
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3527
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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