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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
24
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2508
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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