RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
27
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3418
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Segnala un bug
×
Bug description
Source link