RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
33
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3574
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link