RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2882
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link