RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
24
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3045
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Lenovo 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link