RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
71
Intorno 61% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
71
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
1979
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link