RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
12.7
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3810
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link