RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.7
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3824
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link