Confronto tra le RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

23 28

Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

18.1 12.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.0 7.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 8500

Intorno 2.51 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1988 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns