RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
53
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
53
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2863
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-040.A01LF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link