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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
33
Velocità di lettura, GB/s
14.4
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
3574
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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