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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
67
Intorno 42% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
67
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
2042
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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Kingston KKN2NM-MIE 4GB
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