RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
55
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
55
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2701
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
INTENSO 5641160 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link