RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
56
Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
29
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3246
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5471-028.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link