RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
52
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
24
Velocità di lettura, GB/s
9.7
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
2703
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link