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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2517
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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