RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3160
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link