RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
29
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2984
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link