RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
41
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2656
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link