RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
29
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2750
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link