RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2495
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link