RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno 42% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
45
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3027
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link